国家知识产权局信息显示,大庆溢泰半导体材料有限公司取得一项名为“一种用于大直径锑化镓晶体生长覆盖剂除杂装置”的专利,授权公告号CN 221956234 U,申请日期为2024年2月。
专利摘要显示,一种用于大直径锑化镓晶体生长覆盖剂除杂装置,涉及晶体生长除杂技术领域,包括能够起到提升和旋转作用的机械臂和石英刮盘,石英刮盘安装在机械臂的下端,石英刮盘至少包括一块扇形的石英板,石英板的两侧在厚度方向上均带有用于收集覆盖剂杂质的斜面,两个斜面构成的夹角的顶点位于石英板的上方,石英板的中部带有用于盛放覆盖剂杂质的凹槽;在石英板的径向上,凹槽的底面呈斜面,斜面的高点位于石英板的外缘一侧,斜面的低点位于石英板的中心一侧;所述的凹槽为扇形结构,凹槽的扇形角等于石英板的扇形角。本实用新型能够通过石英刮盘的转动刮走液面薄层难溶浮渣,可保证纯度比较高的覆盖剂投入晶体生长中,从而提高单晶成品率。
(关键字:锑化镓)