掺镓氧化锌透明导电膜在高亮度LED芯片中的应用

导读： 广东半导体照明工程省部产学研创新联盟理事长、中山大学佛山研究院院长王钢教授作了题为《掺镓氧化锌（GZO）透明导电膜在高亮度LED芯片中的应用》的报告...... 关键字： LED芯片 掺镓氧化锌

2010年10月15日下午，在第七届中国国际半导体照明展览会暨论坛上，广东半导体照明工程省部产学研创新联盟理事长、中山大学佛山研究院院长王钢教授作了题为《掺镓氧化锌（GZO）透明导电膜在高亮度LED芯片中的应用》的报告。
　　王钢教授认为氧化锌（ZnO）作为新型的透明电极材料有许多优点：ZnO透过率可到95%，p型欧姆接触可达10-3，与ITO相当；但是其化学稳定性比ITO好，热导率高；ZnO晶体质量高，制作可再现性好。此外，还可以通过掺杂Al、In等来改善其导电特性和透过率。
　　王钢教授指出可以利用MOCVD生长技术生长单晶纳米柱状结构ZnO透明导电薄膜（GZO）材料，而且他通过各种外延材料及芯片实验证明，掺镓氧化锌（GZO）透明导电膜有其非常独特的优势：
　　1、Ga:ZnO对可见光高度透明，源于C轴方向上的高度结晶及高的化学计量，减少了光的吸收和传输时的散射；
　　2、芯片之正向电压高于Ni/Au0.24V，源于外延片表面未加隧道层；
　　3、芯片之Iv的提高，源于GaN:Ga:ZnO界面形成时增加了P-GaN表面的空穴浓度、高透明度、低电阻率和自组织化圆冠状的表面层。