专注第三代半导体切割领域，晟光硅研完成战略融资

日前，西安晟光硅研半导体科技有限公司(以下简称“晟光硅研”)完成战略融资，投资方为深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司(以下简称“捷佳伟创”)，助力晟光硅研打造成为一个面向泛半导体行业拥有科技承载力和创新驱动发展示范性的高新技术公司。此次投资后，晟光硅研注册资本增加至2133.33万元人民币。

晟光硅研成立于2021年2月，主营业务为半导体材料及专用设备的研发和销售，主要产品包括围绕第三代半导体晶圆材料的滚圆、切片、划片等设备。作为新一代半导体材料加工设备的技术领先者，晟光硅研拥有半导体加工设备领域核心技术专利9项，其掌握的微射流激光切割技术，已经成功完成6英寸碳化硅晶锭的切割，可实现高效率、高质量、低成本、低损伤、高良品率碳化硅单晶衬底制备，在第三代半导体切割领域具有独创性、开拓性与先导性，将引起全球范围内该领域的技术迭代，具有非常广泛的推广应用价值。

据了解，晟光硅研发明专利一种碳化硅晶片单向四次双向六及八级台阶切割工艺，通过上面在碳化硅晶锭厚度方向的对称位置第1次切割至最深位置;随后在左边和右边同样地进行3次切割到与第1次相同深度，从而建立起一个相对平缓的多次水射流宽度的面，这个面作为避免水柱干扰的第二深度切割的起始面;在中心对称线的左侧采用相同的喷口进行第2层首次切割到其最深深度;随后在厚度对称轴线的右侧进行2次切割，并达到与第2层首次切割的相同深度;进行第3层首次切割，以达到碳化硅晶锭半径以上深度。本发明通过台阶法切割实现单晶碳化硅晶锭的高深度切割，实现了高效率、高质量、低成本、低损伤、高出品率制备SiC单晶衬底，具有推广应用的价值。

晟光硅研总经理杨森在本次活动中首次公开披露技术细节及技术延展路径，微射流激光技术经过晟光硅研团队持续两年的研发，一次切割完成的晶片表面形貌已接近CMP处理水平。并完成9项专利注册，6项原创发明专利的申报，并在切割技术领域已经做好市场推广计划和长期技术升级规划。

西安航天基地投资合作委员会主任田农指出，在中 美脱钩的大背景下，国内自主创新发展是必由之路，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体一直以来备受市场重视，晟光硅研作为航天基地科技成果就地转化项目，获得了上市公司捷佳伟创的战略投资，并得到行业头部企业的认可，是发展的重要里程碑。

投资方捷佳伟创董事长余仲表示，随着5G、人工智能、新能源车的快速发展，我国第三代半导体产业也正全面爆发，未来的发展需要前瞻科技，助力初创企业，推动本土创新。面对这个重要历史机遇，捷佳伟创将助力晟光硅研，抓住信息产业半导体材料应用领域最新发展趋势，共同推动中国半导体领域的换道超车。

捷佳伟创是一家国内领先的从事晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。主要产品包括PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备以及自动化(配套)设备、全自动丝网印刷设备等晶体硅太阳能电池生产工艺流程中的主要及配套设备的研发、制造和销售，2020年度年营业收入40余亿。

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