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国星光电:推出的第三代半导体GaN-DFN器件可广泛应用于新能源汽车充电、手机快充领域

2021-6-28 8:36:47来源:中商网撰写作者:
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  • 国星光电:推出的第三代半导体GaN-DFN器件可广泛应用于新能源汽车充电、手机快充领域
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6月25日,国星光电在互动平台表示,公司推出的第三代半导体GaN-DFN器件可广泛应用于新能源汽车充电、手机快充领域。目前正在积极接触终端客户,计划年底前小批量量产。

 

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